[发明专利]一种改善阻变存储器一致性的方法及其阻变存储器有效
| 申请号： | 201911025147.5 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110783457B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 傅丽萍;范小龙;李颖弢;吴泽伟;宋小强;李晓燕 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 甘肃省知识产权事务中心代理有限公司 62100 | 代理人： | 孙惠娜 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用重离子微孔膜改善阻变存储器一致性的实现方法，是将重离子微孔膜作为控制层嵌入阻变存储层和导电电极之间。在阻变存储器件发生电阻转变的过程中，对器件施加电压以后，在电场的作用下，活性金属电极发生氧化还原反应在阻变存储层中所形成金属导电细丝的形成与破灭时引起电阻转变的主要原因。由于导电细丝的形成与破灭是随机的，因此阻变参数具有很大的离散性，影响阻变存储器的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 存储器 一致性 方法 及其 | ||
【主权项】：
1.一种改善阻变存储器一致性的方法，包括上电极和下电极，所述上电极与下电极之间设有阻变存储层，其特征在于：在阻变存储层与上电极之间嵌入一层重离子微孔膜的控制层。/n
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