[发明专利]一种提高MOS器件模型精度的方法在审
| 申请号： | 201911025741.4 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110728110A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 张志双 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高MOS器件的模型精度的方法，所述方法包括以下步骤：提供若干待测MOS器件，并收集若干所述待测MOS器件的实测参数数据，所述MOS器件包括具有深N阱的MOS晶体管；采用MOS器件模型模拟出所述MOS器件的仿真参数数据；通过所述实测参数数据和仿真参数数据得到补偿参数；以及根据所述补偿参数数据补入所述MOS器件模型。本发明通过上述步骤得到补偿参数并将其补入至MOS器件模型中，从而提高模型精度，减小电路仿真和实际设计应用之间存在偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 补偿参数 仿真参数 实测参数 电路仿真 模型模拟 设计应用 深N阱 减小 | ||
【主权项】：
1.一种提高MOS器件模型精度的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：/n提供若干待测MOS器件，并收集若干所述待测MOS器件的实测参数数据，所述MOS器件包括具有深N阱的MOS晶体管；/n采用MOS器件模型模拟出所述MOS器件的仿真参数数据；/n通过所述实测参数数据和仿真参数数据得到补偿参数；以及/n根据所述补偿参数数据补入所述MOS器件模型。/n
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