[发明专利]半导体外延结构、制备方法结构及半导体器件在审
| 申请号： | 201911026043.6 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110739348A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 何佳琦;汪青;于洪宇 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/20;H01L29/78 |
| 代理公司： | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体外延结构、制备方法结构及半导体器件，该半导体外延结构的制备方法包括：提供衬底；在衬底的上方形成沟道层；在沟道层的上方形成第一势垒层，第一势垒层包括栅极区和位于栅极区两侧的生长区；在第一势垒层包括的栅极区的上方形成介电掩膜层；在第一势垒层包括的生长区的上方形成第二势垒层，第二势垒层的厚度大于介电掩膜层的厚度。本发明实施例的技术方案，简化了制备半导体外延结构工艺步骤，达到了适合量产的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 势垒层 半导体外延结构 栅极区 制备 沟道层 生长区 掩膜层 衬底 介电 半导体器件 工艺步骤 技术效果 量产 | ||
【主权项】：
1.一种半导体外延结构的制备方法，其特征在于，包括：/n提供衬底；/n在所述衬底的上方形成沟道层；/n在所述沟道层的上方形成第一势垒层，所述第一势垒层包括栅极区和位于所述栅极区两侧的生长区；/n在所述第一势垒层包括的栅极区的上方形成介电掩膜层；/n在所述第一势垒层包括的生长区的上方形成第二势垒层，所述第二势垒层的厚度大于所述介电掩膜层的厚度。/n
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