[发明专利]一种刻蚀药剂添加控制方法及装置有效
申请号: | 201911026082.6 | 申请日: | 2019-10-25 |
公开(公告)号: | CN110752170B | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 李侃 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种刻蚀药剂添加控制方法及装置,方法包括:步骤S1,获取使用的次数,使用时间;步骤S2,计算刻蚀药剂溶液在不同的刻蚀工艺中的消耗时间之和;步骤S3,消耗时间之和大于阈值时添加刻蚀药剂;装置包括:获取模块,计算模块,比较模块,控制模块;上述技术方案有益效果是:解决了现有技术中的刻蚀药剂添加方式导致刻蚀液中刻蚀药剂浓度越来越大的问题,确保了刻蚀液活性的稳定。 | ||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 药剂 添加 控制 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种刻蚀药剂添加控制方法,应用于湿法刻蚀设备,其特征在于,所述湿法刻蚀设备中对应至少一种刻蚀工艺,对每种所述刻蚀工艺中使用的刻蚀药剂溶液设置一使用系数;/n步骤S1,获取所述刻蚀药剂溶液在每种刻蚀工艺中使用的次数,以及所述刻蚀药剂溶液在每种刻蚀工艺中每次被使用的时间;/n步骤S2,根据所述刻蚀药剂溶液的使用系数,使用的次数以及被使用的时间计算所述刻蚀药剂溶液在不同的所述刻蚀工艺中的消耗时间T之和;/n步骤S3,提供一阈值,将所述消耗时间T之和与所述阈值进行比较,当所述消耗时间T之和大于或等于所述阈值时,于对应的所述刻蚀药剂溶液中添加刻蚀药剂。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司,未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911026082.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种晶圆处理装置和上下料方法
- 下一篇:晶圆弯曲度调整装置及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造