[发明专利]一种基于铟镓砷的波长拓展型红外探测器的外延片结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于铟镓砷的波长拓展型红外探测器的外延片结构，包括InP衬底，所述InP衬底顶部设有In0.53Ga0.47As腐蚀阻止层，所述In0.53Ga0.47As腐蚀阻止层顶部设有InP缓冲层，所述InP缓冲层顶部设有In0.53Ga0.47As吸收层，所述In0.53Ga0.47As吸收层顶部设有非掺杂的本征InP层，所述非掺杂的本征InP层顶部设有In0.53Ga0.47As接触层。采用In0.53Ga0.47As接触层，克服了电极金属和InP之间的接触电阻问题，形成了良好的欧姆接触，器件的串联电阻明显降低；采用衬底去除的方法，成功将短波红外探测器的响应光谱延伸到可见光，实现了可见光‑短波红外的宽光谱探测，大大丰富了成像目标的信息和识别率。

主权项

1.一种基于铟镓砷的波长拓展型红外探测器的外延片结构，包括InP衬底，其特征在于：所述InP衬底顶部设有In0.53Ga0.47As腐蚀阻止层，所述In0.53Ga0.47As腐蚀阻止层顶部设有InP缓冲层，所述InP缓冲层顶部设有In0.53Ga0.47As吸收层，所述In0.53Ga0.47As吸收层顶部设有非掺杂的本征InP层，所述非掺杂的本征InP层顶部设有In0.53Ga0.47As接触层，且In0.53Ga0.47As腐蚀阻止层通过MOCVD方法生长在InP衬底上，InP缓冲层通过MOCVD方法生长在In0.53Ga0.47As腐蚀阻止层上，In0.53Ga0.47As吸收层通过MOCVD方法生长在InP缓冲层上，非掺杂的本征InP层通过MOCVD方法生长在In0.53Ga0.47As吸收层上，In0.53Ga0.47As接触层通过MOCVD方法生长在非掺杂的本征InP层上。/n