[发明专利]一种直接生长SOI的方法在审

申请号：	201911028055.2	申请日：	2019-10-28
公开（公告）号：	CN110739262A	公开（公告）日：	2020-01-31
发明（设计）人：	贾文博	申请（专利权）人：	沈阳硅基科技有限公司
主分类号：	H01L21/762	分类号：	H01L21/762
代理公司：	11340 北京天奇智新知识产权代理有限公司	代理人：	龙涛
地址：	110000 辽宁省沈阳***	国省代码：	辽宁;21
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摘要：	本发明提供一种直接生长SOI的方法，所述方法包括：对预定硅片进行氧化；使用二乙氧基甲基硅烷作为炭源，在预定硅片的氧化层上沉积非晶炭，得到具有非晶炭层的硅片；对所述具有非晶炭层的硅片进行高温退火还原处理，使所述氧化层与所述非晶炭层发生化学反应，生成单晶硅和一氧化碳，得到具有顶层单晶硅的硅片；其中，所述处理过程采用惰性气体进行保护；将所述具有顶层单晶硅的硅片放入外延设备中，使所述顶层单晶硅的厚度外延生长至预定厚度，得到SOI。本发明的直接生长SOI的方法，可以简化制备工艺流程且生产成本低、产能高。
搜索关键词：	硅片单晶硅非晶顶层炭层直接生长氧化层二乙氧基甲基硅烷化学反应生产成本低惰性气体高温退火还原处理外延设备外延生长工艺流程一氧化碳产能放入炭源沉积制备
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【主权项】：

1.一种直接生长SOI的方法，其特征在于，所述方法包括：/n对预定硅片进行氧化；/n使用二乙氧基甲基硅烷作为炭源，在预定硅片的所述氧化层上沉积非晶炭，得到所述具有非晶炭层的硅片；/n对所述具有非晶炭层的硅片进行高温退火还原处理，使所述氧化层与所述非晶炭层发生化学反应，生成单晶硅和一氧化碳，得到具有顶层单晶硅的硅片；其中，所述处理过程采用惰性气体进行保护；/n将所述具有顶层单晶硅的硅片放入外延设备中，使所述顶层单晶硅的厚度外延生长至预定厚度，得到SOI；/n其中，SOI中间层为所述高温退火还原处理后的剩余氧化层，SOI顶层硅为预定厚度的顶层单晶硅。/n

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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