[发明专利]平面晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201911028078.3 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110729195A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 安凯 | 申请（专利权）人： | 沈阳硅基科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 11340 北京天奇智新知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙涛 |
| 地址： | 110000 辽宁省沈阳*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种平面晶体管的制造方法，包括：在第一硅片的表面沉积固溶体薄膜，固溶体薄膜与第一硅片的硅晶格失配比为第一比值；在固溶体薄膜上以单原子层的形式形成单晶硅薄膜；将第一硅片、固溶体薄膜和单晶硅薄膜进行快速热退火处理；将氢离子(H+)注入至第一硅片内；将氧化片贴合于单晶硅薄膜上，并将单晶硅薄膜与氧化片键合，以得到键合片；将键合片进行裂片处理，以去掉第一硅片；采用腐蚀液腐蚀固溶体薄膜，以得到平面晶体管。本发明所提供的平面晶体管的制造方法，通过沉积法在第一硅片的表面形成固溶体薄膜，降低了生产设备的造价，工艺简单，便于操作，并且无需氢气等辅助气体，提高了生产的安全系数。 | ||
| 搜索关键词： | 固溶体薄膜 硅片 单晶硅薄膜 平面晶体管 键合片 氢离子 腐蚀液腐蚀 快速热退火 安全系数 表面沉积 表面形成 单原子层 辅助气体 生产设备 形式形成 氢气 沉积法 硅晶格 配比为 键合 裂片 贴合 制造 生产 | ||
【主权项】：
1.一种平面晶体管的制造方法，其特征在于，包括：/n在第一硅片的表面沉积固溶体薄膜，所述固溶体薄膜与所述第一硅片的硅晶格失配比为第一比值；/n在所述固溶体薄膜上以单原子层的形式形成单晶硅薄膜；/n将所述第一硅片、所述固溶体薄膜和所述单晶硅薄膜进行快速热退火处理；/n将氢离子注入至第一硅片内；/n将氧化片贴合于所述单晶硅薄膜上，并将所述单晶硅薄膜与所述氧化片键合，以得到键合片；/n将所述键合片进行裂片处理，以去掉所述第一硅片；/n采用腐蚀液腐蚀所述固溶体薄膜，以得到所述平面晶体管。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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