[发明专利]一种与堆叠纳米线或片兼容的输入输出器件及制备方法

摘要

本发明提供一种与堆叠纳米线或片兼容的输入输出器件的制备方法，包括，在衬底上形成由牺牲层和第一外延层组成的叠层；去除第二区域的叠层后填充第二外延层；经过刻蚀在第一区域和第二区域分别形成第一鳍部和第二鳍部；在第一鳍部和第二鳍部同时形成第一伪栅和第二伪栅及侧墙；去除第一伪栅及被第一伪栅覆盖的第一鳍部中的牺牲层，形成堆叠纳米线或片；去除第二伪栅，在堆叠纳米线或片和被第二伪栅覆盖的第二鳍部分别淀积栅介质层和金属栅层。本发明还提供一种与堆叠纳米线或片兼容的输入输出器件。解决了两根纳米线或片之间很难填入金属栅，即使部分金属栅填入，输入输出器件电学性能仍会较差的问题。

主权项

1.一种与堆叠纳米线或片兼容的输入输出器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，在所述衬底上形成交替堆叠的牺牲层和第一外延层；/n去除所述第二区域的所述第一外延层和牺牲层，在所述第二区域对应的所述衬底上形成第二外延层；/n干法各向异性刻蚀所述衬底、所述第一区域的所述第一外延层和牺牲层、所述第二区域的所述第二外延层，形成STI浅沟道隔离、凸出于所述第一区域对应的所述衬底的第一鳍部和凸出于所述第二区域对应的所述衬底的第二鳍部，所述第一鳍部和第二鳍部均沿第一方向延伸；/n在所述第一鳍部上形成沿第二方向延伸的第一伪栅，在所述第一伪栅的侧壁上形成侧墙，同时在所述第二鳍部上形成沿第二方向延伸的第二伪栅，在所述第二伪栅的侧壁上形成侧墙，所述第二方向与所述第一方向在所述衬底所在平面内正交；/n去除所述第一伪栅，在被所述第一伪栅覆盖的所述第一鳍部形成堆叠纳米线或片，在所述堆叠纳米线或片的表面依次淀积栅介质层和金属栅层，形成第一栅极；/n去除所述第二伪栅，在被所述第二伪栅覆盖的所述第二鳍部表面沿第二方向依次淀积所述栅介质层和金属栅层，形成第二栅极；在所述第二区域形成与所述堆叠纳米线或片兼容的FinFET结构的输入输出器件。/n