[发明专利]氮化铝单晶薄膜制备方法、氮化铝单晶薄膜及发光二极管有效
| 申请号： | 201911028132.4 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112725896B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 周陈;唐军;牟伟明 | 申请（专利权）人： | 宁波安芯美半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B23/02;C30B25/02;H01L21/02;H01L33/12 |
| 代理公司： | 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 | 代理人： | 王挺;魏玉娇 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭州湾*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化铝单晶薄膜制备方法、氮化铝单晶薄膜及发光二极管，所述氮化铝单晶薄膜制备方法包括，提供一衬底，依次于衬底上生成氮化铝薄膜，铝化层以及氮化铝外延层。利用本发明，可有效提高晶体稳定性，得到的晶体整片不雾化无裂纹、晶体质量高。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 铝单晶 薄膜 制备 方法 发光二极管 | ||
【主权项】：
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