[发明专利]一种减少注入损伤制备SOI的方法在审

申请号：	201911028146.6	申请日：	2019-10-28
公开（公告）号：	CN110739214A	公开（公告）日：	2020-01-31
发明（设计）人：	彦丙智;佟姝雅	申请（专利权）人：	沈阳硅基科技有限公司
主分类号：	H01L21/265	分类号：	H01L21/265;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/324;H01L21/762
代理公司：	11340 北京天奇智新知识产权代理有限公司	代理人：	龙涛
地址：	110000 辽宁省沈阳***	国省代码：	辽宁;21
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摘要：	本发明提供一种减少注入损伤制备SOI的方法，所述方法包括：选取三片原始硅片，分别为第一硅片、第二硅片和第三硅片；对第一硅片进行机械减薄，对第二硅片和第三硅片进行氧化；将氧化后的第二硅片和减薄后的第一硅片进行一次键合，得到一次键合片；对一次键合片进行离子注入；对离子注入后的一次键合片进行剥离；将剥离后的一次键合片与氧化后的第三硅片进行二次键合，得到二次键合片；对二次键合片进行裂片，以得到绝缘层上硅结构；对绝缘层上硅结构进行退火和化学机械抛光处理，得到高质量的SOI。本发明的减少注入损伤制备SOI的方法，可以去除注入损伤及离子残留，有效减少SOI的缺陷，显著提高硅片表面状态。
搜索关键词：	硅片一次键合次键绝缘层上硅损伤合片制备离子化学机械抛光处理剥离退火硅片表面机械减薄离子残留有效减少原始硅片减薄裂片去除
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【主权项】：

1.一种减少注入损伤制备SOI的方法，其特征在于，包括：/n选取三片原始硅片，分别为第一硅片、第二硅片和第三硅片；/n对所述第一硅片进行机械减薄，对所述第二硅片和所述第三硅片进行氧化；/n将氧化后的第二硅片和减薄后的第一硅片进行一次键合，得到一次键合片；/n对所述一次键合片进行离子注入；/n对离子注入后的一次键合片进行剥离；/n将剥离后的一次键合片与氧化后的第三硅片进行二次键合，得到二次键合片；/n对所述二次键合片进行裂片，以得到绝缘层上硅结构；/n对所述绝缘层上硅结构进行退火和化学机械抛光处理，得到高质量的SOI。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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