[发明专利]一种三维MXene原位生长碳纳米管及其通用合成方法在审
| 申请号： | 201911028277.4 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110589802A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 王治宇;修陆洋;邱介山 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C01B32/16 | 分类号： | C01B32/16;C01B32/921;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 21200 大连理工大学专利中心 | 代理人： | 李晓亮 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种三维MXene原位生长碳纳米管及其通用合成方法，属于纳米材料领域。本发明以二维的过渡金属碳化物Ti | ||
| 搜索关键词： | 碳纳米管 三维 二维 片层 过渡金属碳化物 表面原位生长 纳米材料领域 规模化生产 离子透过性 催化作用 电磁屏蔽 高度分散 高效利用 光电材料 过渡金属 加工性能 抗疲劳性 绿色环保 纳米结构 内外表面 喷雾热解 生物药物 团聚现象 原位生长 制备工艺 孔隙率 前驱体 铁钴镍 储能 联通 碳管 催化 制备 缠绕 应用 合成 组装 生长 通用 引入 | ||
【主权项】：
1.一种三维MXene原位生长碳纳米管的通用合成方法，其特征在于，包括以下步骤：/n第一步，室温下，向浓度为0.5-20mg mL
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