[发明专利]一种单层二硫化钼能谷协调的单极型自旋二极管有效
| 申请号： | 201911029141.5 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110854190B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 翟学超;刘永强;闻睿 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 210046 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了自旋电子学元器件技术领域的一种单层二硫化钼能谷协调的单极型自旋二极管，旨在解决现有技术中的微电子产业受制于器件功耗增大和制造成本增加，导致其集成度遭遇瓶颈的技术问题。所述自旋二极管包括由掺杂半导体材料与衬底材料融合形成的第一异质结和第二异质结，第一异质结与第二异质结相接触构成PN结，融合形成第一异质结或/和第二异质结的衬底材料为铁磁绝缘体，所述半导体为单层二硫化钼。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单层 二硫化钼 协调 单极 自旋 二极管 | ||
【主权项】：
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