[发明专利]小型化慢波半模基片集成波导E面耦合器有效
| 申请号： | 201911029293.5 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110752430B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 刘水;许锋 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01P5/18 | 分类号： | H01P5/18 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 范丹丹 |
| 地址： | 210046 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种小型化慢波半模基片集成波导E面耦合器，包括堆叠放置的顶层介质基片和底层介质基片，顶层介质基片的上表面设置有顶层金属层，顶层介质基片和底层介质基片之间设置有中间层金属层，底层介质基片的下表面设置有底层金属层。顶层介质基片和底层介质基片上各设置有一排金属化通孔，该排金属化通孔与顶层金属层、顶层介质基片、中间层金属层构成第一半模基片集成波导，该排金属化通孔与中间层金属层、底层介质基片、底层金属层构成第二半模基片集成波导。该耦合器在更小的体积内实现了45%的3‑dB工作带宽，工作频带内性能稳定，相对于更常见的H面慢波耦合器极大地拓宽了耦合器在小型化、双极化等方面的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 小型化 慢波半模基片 集成 波导 耦合器 | ||
【主权项】：
1.小型化慢波半模基片集成波导E面耦合器，其特征在于：包括顶层介质基片（2）和底层介质基片（3），所述顶层介质基片（2）和底层介质基片（3）堆叠放置，/n顶层介质基片（2）的上表面设置有顶层金属层（6），顶层介质基片（2）和底层介质基片（3）之间设置有中间层金属层（5），底层介质基片（3）的下表面设置有底层金属层（7）；/n顶层介质基片（2）和底层介质基片（3）上各设置有一排金属化通孔（1），该排金属化通孔（1）与顶层金属层（6）、顶层介质基片（2）、中间层金属层（5）构成第一半模基片集成波导，该排金属化通孔（1）与中间层金属层（5）、底层介质基片（3）、底层金属层（7）构成第二半模基片集成波导。/n
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