[发明专利]集成半导体处理在审
| 申请号： | 201911029308.8 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN111180359A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 本杰明·科伦坡;龚圣钦;帕特里夏·M·刘 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一般，本文描述的实施例涉及用于在形成为超晶格的一部分的修整的层上形成包覆层的集成解决方案。在一个实施例中，在处理系统的第一处理腔室中选择性地蚀刻第一材料。所述第一材料设置在处于基板上的沟道区域中的所述第一材料和第二材料的交替层内。在所述处理系统的所述第一处理腔室中修整所述第二材料的一部分。将所述基板从所述处理系统的所述第一处理腔室传送到所述处理系统的第二处理腔室，而不将所述基板暴露于在所述处理系统外部的周边环境。在所述处理系统的所述第二处理腔室中在所修整的第二材料的相应层上外延地生长包覆层。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 半导体 处理 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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