[发明专利]一种硫化物增益光纤及制备方法有效

专利信息
申请号: 201911030244.3 申请日: 2019-10-28
公开(公告)号: CN110571636B 公开(公告)日: 2021-03-30
发明(设计)人: 杨安平;杨志杰;杨志勇;任和;孙明阳 申请(专利权)人: 江苏师范大学
主分类号: H01S3/067 分类号: H01S3/067;C03B37/012;C03B37/027
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 周敏
地址: 221116 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种硫化物增益光纤及制备方法,该增益光纤包括光纤芯和光纤包层,光纤芯材料为稀土离子掺杂的Ga‑Sb‑La‑S玻璃,光纤包层材料为Ga‑Sb‑La‑S玻璃;光纤芯玻璃的折射率大于包层玻璃的折射率;Ga‑Sb‑La‑S玻璃的化学组成式为20Ga2S3‑(80‑x)Sb2S3‑xLa2S3,其中x=1~7;稀土离子为Dy3+、Tm3+、Er3+中的一种,掺杂稀土离子的质量浓度为0.05%~5%。光纤采用棒管法制备,即将纤芯玻璃和包层玻璃分别制作成细棒和套管,然后将纤芯玻璃细棒插入包层玻璃套管,拉制成最终尺寸的光纤。本发明硫化物增益光纤无毒且具有非常高的稀土离子掺杂浓度,在2.5~5μm具有强的发光,可作为低成本、紧凑型中红外光纤激光器的核心增益介质。
搜索关键词: 一种 硫化物 增益 光纤 制备 方法
【主权项】:
1.一种硫化物增益光纤,其特征在于:包括光纤芯和光纤包层,所述光纤芯材料为稀土离子掺杂的Ga-Sb-La-S玻璃,光纤包层材料为Ga-Sb-La-S玻璃;光纤芯玻璃的折射率大于光纤包层玻璃的折射率;/n所述Ga-Sb-La-S玻璃的化学组成式为20Ga
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏师范大学,未经江苏师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911030244.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top