[发明专利]一种P-TOPCon光伏太阳能电池结构的制备方法有效

专利信息
申请号: 201911030560.0 申请日: 2019-10-28
公开(公告)号: CN110620159B 公开(公告)日: 2022-01-25
发明(设计)人: 吴王平;张屹;王翔;丁建宁;袁宁一 申请(专利权)人: 常州大学
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 213164 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种P型晶体硅TOPCon电池结构的制备方法,该电池结构为电池结构为正面结构为Ag栅线+SiNx层+N+层+局部SiOx+Poly层,背面结构为Al层+SiNx层+Al2O3层+P+。另外,电池的制备方法为双面制绒→单面氧化→单面微晶硅→磷掺杂退火→正面掩膜→去除非掩膜区域→清洗→单面N+磷扩散→去除掩膜区域形成SiOx+Poly层→钝化→激光开槽→丝网印刷+烧结。本发发明公开的一种新型P‑TOPCon电池制备方法——即PERC前表面场进行多晶硅掺杂的选择性发射极工艺,可有效提升开路电压VOC,并减低Rs,提升FF,选择性的多晶硅掺杂工艺可有效降低ISC的损失,进而提升了效率。
搜索关键词: 一种 topcon 太阳能电池 结构 制备 方法
【主权项】:
1.一种新型P-TOPCon光伏太阳能电池结构,其特征在于电池结构为正面结构为Ag栅线+SiNx层+N
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