[发明专利]一种降低沟槽型金属氧化物半导体导通电阻的方法

摘要

本发明公开了一种降低沟槽型金属氧化物半导体导通电阻的方法，包括以下步骤，在硅衬底上的N型外延层上生长热生长氧化层，再淀积氧化层，进行沟槽的刻蚀；生长栅极氧化层，再淀积掺杂的栅极多晶硅；形成器件的栅极，P型杂质注入，形成P型体区；进行纵向的源区光刻，进行N型杂质注入；形成沟槽DMOS的源区；进行纵向的P型浓掺杂区光刻，P型浓掺杂质注入；淀积介质隔离层,淀积钛/氮化钛，再淀积正面金属层形成器件的源极；再生长背面金属层，形成器件的漏极，完成器件的制作；本发明通过改变器件的结构，实现了更小元胞的制作，实现了相同面积导通电阻的降低或相同导通电阻芯片面积的减小，具有良好的市场应用价值。

主权项

1.一种降低沟槽型金属氧化物半导体导通电阻的方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、在硅衬底上的N型外延层上生长热生长氧化层，再淀积氧化层，采用沟槽光刻层定义出元胞区，沟槽开口尺寸为0.2微米，沟槽开口的间距为0.15微米，然后进行氧化层和热生长氧化层的刻蚀，刻蚀到N型外延层表面为止；/nS2、去掉沟槽光刻层后，采用留下来的氧化层作为硬掩模，进行沟槽的刻蚀；/nS3、去除氧化层和热生长氧化层，生长栅极氧化层，再淀积掺杂的栅极多晶硅；/nS4、对掺杂的栅极多晶硅进行回刻，然后对掺杂的栅极多晶硅进行退火，形成器件的栅极，再进行P型杂质注入；/nS5、对注入的P型杂质进行驱入，形成P型体区；/nS6、将原有的横向布局切换为纵向布局，进行纵向的源区光刻，采用源区光刻层定义出源区N型杂质注入区域和源区N型杂质非注入区域，对源区型杂质注入区域进行N型杂质注入；/nS7、去除源区光刻层，并进行源区退火，形成沟槽DMOS的源区；/nS8、将原有的横向布局切换为纵向布局，进行纵向的P型浓掺杂区光刻，采用P型浓掺杂光刻层定义出P型浓掺杂区，进行P型浓掺杂质注入；/nS9、去除P型浓掺杂区光刻层，并进行快速热退火，形成沟槽DMOS的P型浓掺杂区；/nS10、淀积介质隔离层,并进行退火回流处理，然后进行光刻，刻蚀掉介质隔离层和栅极氧化层，源区以上的介质隔离层和栅极氧化层均被刻蚀，同时沟槽内刻蚀到源区上平面以下200纳米；/nS11、淀积钛/氮化钛，然后采用快速热退火对其进行退火，再淀积正面金属层形成器件的源极,对晶圆背面进行减薄；再生长背面金属层，形成器件的漏极，完成器件的制作。/n