[发明专利]一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法在审
| 申请号： | 201911030849.2 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110752146A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 王晓亮;李百泉;肖红领 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司;中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法，本发明在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法，通过在Si衬底上外延生长一层氮化物复合缓冲层，该氮化物复合缓冲层可以缓解晶格失配，并阻止回熔刻蚀反应。通过在GaN过渡层上生长一组超晶格，该超晶格可以释放部分张应力，并能过滤部分穿透位错。采用该方法可以显著提高GaN外延薄膜材料的晶体质量，消除表面裂纹，得到可用于器件研制应用的GaN外延薄膜材料。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物复合缓冲层 外延薄膜材料 氮化镓薄膜 超晶格 硅衬底 生长 表面裂纹 穿透位错 晶格失配 外延生长 过渡层 张应力 衬底 回熔 可用 刻蚀 过滤 释放 缓解 应用 | ||
【主权项】：
1.一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1：选择一片单晶Si衬底；/n步骤2：在Si衬底上外延生长一层氮化物复合缓冲层；/n步骤3：在氮化物复合缓冲层上生长一层GaN过渡层；/n步骤4：在GaN过渡层上生长一组超晶格；/n步骤5：在超晶格上面生长GaN外延层，完成GaN薄膜的制备。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
