[发明专利]一种晶圆检测方法在审
申请号: | 201911031236.0 | 申请日: | 2019-10-28 |
公开(公告)号: | CN110767564A | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 闫一方 | 申请(专利权)人: | 苏师大半导体材料与设备研究院(邳州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 11589 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 王志敏 |
地址: | 221300 江苏省徐州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种晶圆检测方法,涉及电气元件检测技术领域。该晶圆检测方法,包括以下步骤:S1.对晶圆的表面进行区域划分,将晶圆的表面划分为多个单独的检测区域;S2.对采集的晶圆图像进行特征提取,其中特征提取包括提取特征区域与特征区域的处理以及变换;S3.对采集的晶圆图像进行缺陷识别与检测;S4.导出晶圆图像进行缺陷识别与检测结果,将此结果与人工检测结果做对比;S5.选取样本数量中的1%进行人工检测,判断问题区域是否正确。通过对晶圆图像进行特征提取、算法检测以及人工纠正,使得晶圆检测方法得到了明显的优化,使得晶圆在检测过程中比较方便,检测效率得到了提高,同时检测的准确率也进一步的得到了提高。 | ||
搜索关键词: | 晶圆图像 特征提取 检测 晶圆 晶圆检测 缺陷识别 人工检测 采集 检测技术领域 电气元件 检测结果 检测区域 算法检测 特征区域 提取特征 问题区域 准确率 导出 种晶 样本 纠正 优化 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆检测方法,其特征在于:包括以下步骤:/nS1.对晶圆的表面进行区域划分,将晶圆的表面划分为多个单独的检测区域;/nS2.对采集的晶圆图像进行特征提取,其中特征提取包括提取特征区域与特征区域的处理以及变换:/n1)提取特征区域:利用图像采集装置采集晶圆表面的图像,然后对晶圆图像的几何特征进行提取,分析晶圆图像的几何形状变换性,判断图像是否发生大幅度的旋转,以及晶圆的几何特征是否发生相对位置、形状上的改变,同时在晶圆图像上建立一定的特征区域,在该特征区域中,并让特征区域作为晶圆图像相关性配准的特征量,判断晶圆图像特征区域中的宽度值,同时生成该特征区域中的矩形区域,检测出矩形区域图形的水平线与垂直线,并根据区域中的几何特征进行散图的拼接;/n2)特征区域的处理以及变换:/ni)在晶圆几何特征提取环节中,对特征区域进行二值化处理,然后对晶圆矩形区域图形进行水平和垂直边缘缺陷的检测;/nii)然后通过霍夫变换,得到晶圆矩形区域图形缺陷检测的水平线具体位置;/niii)在霍夫变换基础上,计算得到晶圆矩形区域图形垂直线的具体位置,然后根据霍夫变换对图像进行边缘的检测,挖掘晶圆图像中的灰度变化明显点;/niv)准确找到晶圆的缺陷边缘,寻找晶圆缺陷边缘上存在的亮点,对缺陷亮点进行运算求导,得到亮点梯度,在亮点梯度的基础上再次进行求导,得到亮点梯度的变化率;/nS3.对采集的晶圆图像进行缺陷识别与检测,具体检测算法如下:/n1)采集的晶圆图像被处理之后,将晶圆图像与模板进行对比,将含有缺陷的晶圆模板与标准晶圆模板之间进行直接的对比,根据图像特征与位置关系进行晶圆图像之间的运算;/n2)对于晶圆图像进行形态学上的分析,提前预设好预设晶圆图像标准形态,根据大数据匹配算法对晶圆形态进行分析,分析待检测晶圆图像形态与标准形态的差异;/nS4.导出晶圆图像进行缺陷识别与检测结果,将此结果与人工检测结果做对比,分析该算法检测结果的准确率,根据检测结果的差异对检测算法进行优化,并对该算法进行反复测试;/nS5.根据最终的输出结果,判断出晶圆出现问题的具体区域,然后选取样本数量中的1%进行人工检测,判断问题区域是否正确。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造