[发明专利]一种在位生长介质层作为帽层的HEMT结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201911031483.0 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110767746A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 王晓亮;李百泉;肖红领 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司;中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/778;H01L21/318 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种在位生长介质层作为帽层的HEMT结构，该HEMT结构从下至上依次包括：SiC衬底、成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层、盖帽层和介质层；其中，所述介质层为SiN层，其厚度不超过300μm；本发明还公开了该HEMT结构的制作方法。本发明则采用在位生长的方式制作SiN介质层，在高真空度的MOCVD腔室内，直接在HEMT结构材料的表面生长介质层，可以有效地避免因为分布沉积介质层所引入的颗粒玷污。 | ||
| 搜索关键词： | 介质层 在位 表面生长 高真空度 结构材料 生长介质 插入层 成核层 盖帽层 沟道层 缓冲层 势垒层 有效地 沉积 衬底 帽层 制作 玷污 室内 生长 引入 | ||
【主权项】：
1.一种在位生长介质层作为帽层的HEMT结构，其特征在于，所述HEMT结构从下至上依次包括：SiC衬底、成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层、盖帽层和介质层；其中，所述介质层为SiN层，其厚度不超过300μm。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京华进创威电子有限公司;中国科学院半导体研究所，未经北京华进创威电子有限公司;中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911031483.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
