[发明专利]一种高纯高导铜及其制备方法有效
| 申请号： | 201911031984.9 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110616353B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 宋克兴;刘海涛;周延军;程楚;安世忠;张彦敏;皇涛;国秀花;李韶林;朱一明;宋金涛;张凌亮 | 申请（专利权）人： | 河南科技大学 |
| 主分类号： | C22C9/00 | 分类号： | C22C9/00;C22C1/03;C22C1/02 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 胡云飞;郭佳效 |
| 地址： | 471003 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高纯高导铜及其制备方法。该高纯高导铜由以下重量百分比的组分组成：O≤0.0020％，0.0002％≤改善性元素≤0.0200％，0.0010％≤S≤0.0100％，余量为铜和不可避免的杂质；所述改善性元素为B、Y、Ce、La、Ca、Li、Be中的一种，两种或三种以上。本发明提供的高纯高导铜，通过添加一种或几种改善性元素，以改变杂质元素硫在高纯高导铜基体中的分布，抑制杂质元素硫的晶界偏聚。由于晶界无含硫化合物的形成，该高纯高导铜具有优异的导电性和耐高温氧化性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 高导铜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高纯高导铜，其特征在于，由以下重量百分比的组分组成：O≤0.0020％，0.0002％≤改善性元素≤0.0200％，0.0010％≤S≤0.0100％，余量为铜和不可避免的杂质；所述改善性元素为B、Y、Ce、La、Ca、Li、Be中的一种，两种或三种以上。/n
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