[发明专利]碳化硅单晶的制备装置及其应用有效

专利信息
申请号: 201911032080.8 申请日: 2019-10-28
公开(公告)号: CN110904508B 公开(公告)日: 2021-01-12
发明(设计)人: 方帅;高超;高宇晗;王路平;王宗玉;张九阳;潘亚妮;宁秀秀;李霞;舒天宇;许晓林;薛传艺 申请(专利权)人: 山东天岳先进科技股份有限公司
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B23/00
代理公司: 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 代理人: 王宽
地址: 250118 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 本申请公开了一种碳化硅单晶的制备装置及其应用,属于单晶的制备领域。该碳化硅单晶的制备装置,其包括坩埚、装料桶和旋转升降单元;坩埚包括上部坩埚和下部坩埚;装料桶包括桶身和开口部,桶身设置在下部坩埚内,开口部与上部坩埚转动连接,装料桶和上部坩埚形成物理气相传输法制备碳化硅单晶的生长腔;装料桶与下部坩埚之间形成隔离空腔;旋转升降单元驱动装料桶相对于籽晶旋转升降。该制备装置其装料桶在旋转升降的过程中精确、稳定的处于作为发热体的坩埚的中心位置,装料桶截面的各个方向的温度一致使其内部受热均匀,进而避免了制得的碳化硅单晶内产生碳包裹体等缺陷,提高了制得的碳化硅单晶的质量。
搜索关键词: 碳化硅 制备 装置 及其 应用
【主权项】:
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