[发明专利]一种增强型异质金属栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201911032794.9 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110634946B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 李迈克 | 申请（专利权）人： | 中证博芯（重庆）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213 | 代理人： | 霍维英 |
| 地址： | 401520 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种增强型异质金属栅AlGaN/GaN MOS‑HEMT器件及其制备方法，包括：位于Al |
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| 搜索关键词： | 一种 增强 型异质 金属 algan gan mos hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种增强型异质金属栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件，其特征在于，包括：/n位于Al
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