[发明专利]一种快恢复二极管在审
| 申请号： | 201911032944.6 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110690294A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 王源政;金银萍;杭圣桥;郁怀东 | 申请（专利权）人： | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11212 北京轻创知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄启兵 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体功率器件领域内的一种快恢复二极管。该种快恢复二极管包括N+型硅单晶衬底、N‑型外延层、P+型块和P‑型主结，P+型块具有若干个，N‑型外延层设置于N+型硅单晶衬底上方，P‑型主结设置于N‑型外延层内上方，P+型块设置于N+型硅单晶衬底和N‑型外延层之间，P‑型主结上方设置有正面金属层，N+型硅单晶衬底下方设置有背面金属层。该种快恢复二极管具有极短的反向恢复时间、快速开通和关断能力，同时具有极低的电流振荡和电压过冲，提高了器件的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 硅单晶 外延层 快恢复二极管 衬底 主结 半导体功率器件 背面金属层 正面金属层 电流振荡 电压过冲 反向恢复 快速开通 关断 | ||
【主权项】：
1.一种快恢复二极管，其特征在于：包括N+型硅单晶衬底、N-型外延层、P+型块和P-型主结，所述P+型块具有若干个，所述N-型外延层设置于所述N+型硅单晶衬底上方，所述P-型主结设置于所述N-型外延层内上方，所述P+型块设置于所述N+型硅单晶衬底和N-型外延层之间，所述P-型主结上方设置有正面金属层，所述N+型硅单晶衬底下方设置有背面金属层。/n
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