[发明专利]一种Mo-Nb-W-Zr合金单晶籽晶的培育方法有效

专利信息
申请号: 201911033229.4 申请日: 2019-10-28
公开(公告)号: CN110565169B 公开(公告)日: 2021-01-26
发明(设计)人: 李来平;胡忠武;殷涛;郭林江;郑晗煜;高选乔;任广鹏;杜明焕;张平祥 申请(专利权)人: 西北有色金属研究院
主分类号: C30B29/52 分类号: C30B29/52;C30B13/34
代理公司: 西安创知专利事务所 61213 代理人: 马小燕
地址: 710016*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种Mo‑Nb‑W‑Zr合金单晶籽晶的培育方法,该方法具体过程为:将Mo‑Nb‑W‑Zr合金多晶坯料和Mo‑Nb合金单晶籽晶晶棒放置于电子束区域熔炼设备熔炼室中并抽真空,然后加热熔接,再进行培育,得到Mo‑Nb‑W‑Zr合金单晶籽晶。本发明采用电子束区域熔炼法,以Mo‑Nb合金单晶作为籽晶直接培育Mo‑Nb‑W‑Zr合金单晶籽晶,通过调节和控制熔接的加热功率、Mo‑Nb‑W‑Zr合金多晶坯料的旋转速度R多晶和Mo‑Nb合金单晶籽晶晶棒的旋转速度R单晶的比值以及培育时间,直接高效地培育出Mo‑Nb‑W‑Zr合金单晶籽晶,缩短了工艺流程和培育周期,降低了培育成本。
搜索关键词: 一种 mo nb zr 合金 籽晶 培育 方法
【主权项】:
1.一种Mo-Nb-W-Zr合金单晶籽晶的培育方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:/n步骤一、将Mo-Nb-W-Zr合金多晶坯料和Mo-Nb合金单晶籽晶晶棒同轴放置于电子束区域熔炼设备熔炼室中的位移机构夹具上并均处于阴极灯丝圆圈的中心位置,然后对熔炼室进行抽真空处理至真空度不大于1.0×10
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