[发明专利]一种TFT阵列基板、其显示面板及其终端装置在审
| 申请号： | 201911034151.8 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN110828478A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 杨薇薇;余赟;陈诚 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 黄灵飞 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种TFT阵列基板其显示面板。其中所述TFT阵列基板包括衬底层，所述衬底层上设置有缓冲层，所述缓冲层上依次设置有源层(Active)、第一栅极绝缘层(GI1)、第一栅极层(GE1)、层间介质层(ILD)以及源漏极层(SD)。所述第一栅极绝缘层包括SiNx层，所述第一栅极层包括AL金属层。本发明提供了一种TFT阵列基板，其具有较为良好的自身弯折性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tft 阵列 显示 面板 及其 终端 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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