[发明专利]基于竞争自旋流控制磁随机存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201911034542.X | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN110635024A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 王开友;刘雄华;周志鹏;李予才 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于竞争自旋流控制磁随机存储器及其制备方法，通过对自旋轨道耦合层施加脉冲电压，由竞争自旋流产生的自旋轨道矩效应，控制磁隧道结中磁自由层磁矩产生180°翻转，实现信息的写入；通过测量磁隧道结两端电压的变化，得到隧穿电阻的变化，实现信息的读取。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 磁隧道结 读取 磁随机存储器 自旋轨道耦合 磁自由层 基于竞争 两端电压 脉冲电压 隧穿电阻 翻转 流控制 磁矩 制备 流产 写入 测量 施加 轨道 | ||
【主权项】：
1.一种基于竞争自旋流控制磁随机存储器的多层膜结构，其特征在于，包括：/n衬底；/n缓冲层，形成于所述衬底上；/n自旋轨道耦合层，形成于所述缓冲层上，自旋轨道耦合层包括两个自旋霍尔角相反的第一自旋轨道耦合层和第二自旋轨道耦合层，所述第一自旋轨道耦合层形成于缓冲层上，所述第二自旋轨道耦合层形成于第一自旋轨道耦合层上；/n磁隧道结层，形成于自旋轨道耦合层上，包括：磁自由层、隧穿绝缘层、磁钉扎层和反铁磁层，所述磁自由层形成于自旋轨道耦合层上，所述隧穿绝缘层形成于磁自由层上，所述磁钉扎层形成于隧穿绝缘层上，所述反铁磁层形成于磁钉扎层上；/n保护层，形成于反铁磁层上。/n
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