[发明专利]一种Nd:YLF晶体的生长方法在审
| 申请号： | 201911034833.9 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN110670119A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 万文;万黎明 | 申请（专利权）人： | 安徽环巢光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/20;C30B29/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 238000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Nd:YLF晶体的生长方法，步骤包括：将氟化钇、氟化锂、氟化钕混合研磨；安装坩埚装料；对流均化、下摇籽晶、提拉、下种提拉；放肩；收尾。本发明的有益效果在于，氟化钇锂原料可重复使用，节约生产成本40％以上。生长出大直径，长等径、高质量的Nd:YLF晶体材料，比原有晶体产量提高100％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 氟化钇 提拉 节约生产成本 混合研磨 晶体材料 坩埚装料 生长 氟化钕 氟化锂 晶体的 可重复 锂原料 等径 放肩 均化 籽晶 下种 收尾 对流 | ||
【主权项】：
1.一种Nd:YLF晶体的生长方法，其特征在于，步骤包括：/n步骤一：将氟化钇、氟化锂、氟化钕装进塑料瓶中并固定到混料机上，进行充分混合，混合时间为24h，24h后取出，置入玛瑙研钵中进行研磨，而后再进行混料12h；/n步骤二：检查籽晶杆真空密封橡皮圈，清理籽晶杆，安装坩埚，检测检查热偶，避免其与炉体短路，避免与坩埚接触，将步骤一的混合料进行装料；/n步骤三：装料完毕后，将炉体抽至高真空，充入高纯氩气，再次抽真空后第二次充入氩气和四氟化碳作为保护气体，炉内气压控制在0.02MPa左右，开启中频电源待原料完全熔化后，首先在较高温度下保持3 0分钟以使熔体充分对流均化，然后适当降低温度，同时逐步下摇籽晶，当籽晶下降至液面之上约1cm时，保温3 0分钟使其充分预热，开始提拉，并适当调节使熔体温度略高于熔点，下种将籽晶慢慢下降插入熔体，下种后应平衡15-30分钟，使籽晶由微熔转入生长，并开始提拉；/n步骤四：放肩阶段；/n步骤五：至放肩后期晶体长到所需直径时，进入等径生长阶段，进行升、降温以控制晶体直径在一定范围内缓慢变化；/n步骤六：缩颈收尾，使得晶体慢慢变细。/n
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