[发明专利]亥姆霍兹共振器及基于其的低频宽带吸声降噪结构在审

专利信息
申请号: 201911036388.X 申请日: 2019-10-29
公开(公告)号: CN111105774A 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 李勇;黄思博;周志凌 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: G10K11/172 分类号: G10K11/172
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 王华英
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种亥姆霍兹共振器及基于其的低频宽带吸声降噪结构,其中亥姆霍兹共振器包括亥姆霍兹共振器本体,亥姆霍兹共振器本体内设置有至少一个内嵌管,亥姆霍兹共振器本体开口内侧面包裹在一个所述内嵌管外侧;所有所述内嵌管之间不接触。低频宽带吸声降噪结构包括刚性的框架,框架内并列设置有至少两个亥姆霍兹共振器。本发明亥姆霍兹共振器不仅实现了更加优越的低频、宽频的吸声降噪效果,更有效地减少亥姆霍兹共振器的厚度;低频宽带吸声降噪结构现在低频宽带吸声降噪结构中提升每个弱吸声亥姆霍兹共振器的吸声效果,进而利用较薄的低频宽带吸声结构在更宽频的范围内实现较高效的吸声。
搜索关键词: 亥姆霍兹 共振器 基于 低频 宽带 吸声 结构
【主权项】:
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