[发明专利]太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201911036409.8 | 申请日: | 2019-10-29 |
公开(公告)号: | CN112820793A | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 李兵;邓伟伟 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0216;H01L31/0288;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 胡彭年 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请提供一种太阳能电池及其制备方法,所述太阳能电池包括半导体基片、金属电极及依次层叠设置在所述半导体基片一侧表面的隧穿层、掺杂多晶硅层、减反射层,所述掺杂多晶硅层具有第一部分与第二部分,所述第一部分的掺杂浓度大于第二部分的掺杂浓度,所述金属电极穿透所述减反射层并与所述第一部分相接触。所述掺杂多晶硅层的制备更简洁,通过局部掺杂得到掺杂浓度较高的第一部分,有效降低金属电极位置的界面复合与接触电阻;所述第二部分由于掺杂浓度较低,在对非电极区域进行钝化的同时,减少对光线的吸收。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的