[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201911036460.9 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112750699A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 杨健 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3115 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例涉及一种半导体结构及其制作方法，半导体结构的制作方法包括：提供基底，所述基底上具有至少两个分立的凸起部以及填充于相邻所述凸起部之间的阻隔层；其中，所述阻隔层包括相邻接的待刻蚀区域和间隙区域，在垂直于所述基底的方向上，所述间隙区域位于所述凸起部与所述基底之间；对所述待刻蚀区域或所述间隙区域中的至少一者进行离子注入工艺，所述离子注入工艺用于使所述间隙区域的刻蚀速率小于所述待刻蚀区域的刻蚀速率；在进行离子注入工艺之后，去除所述待刻蚀区域。本发明通过改变阻隔层不同区域的刻蚀选择比，提高刻蚀工艺的刻蚀精度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
