[发明专利]一种自旋电子器件制备方法、制备工件及其制备方法有效
| 申请号： | 201911036784.2 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN110828558B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 张悦;南江;赵巍胜 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 赵平;周永君 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种自旋电子器件制备方法、制备工件及其制备方法，制备工件的制备方法包括：在衬底上形成电极层；在所述电极层上形成牺牲层和硬掩膜层；通过图案化工艺在所述硬掩膜层上形成版图图形；通过版图图形的开口对所述牺牲层进行刻蚀至所述电极层形成中空硬掩膜结构；通过预设第一角度在所述中空硬掩膜结构中沉积第一材料层；通过预设第二角度在所述中空硬掩膜结构和所述第一材料层上沉积形成第二材料层，本发明可以在不破真空的条件下制备含有两层不同图形的器件，使得样品的两层材料间的界面具备较高的质量，且器材具有较高的可靠性，易于重复。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自旋 电子器件 制备 方法 工件 及其 | ||
【主权项】：
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