[发明专利]一种PSG钝化层压点腐蚀方法在审
| 申请号： | 201911038546.5 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN110993725A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 方鼎铭;李雪春 | 申请（专利权）人： | 福建福顺微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/311 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 张忠波;徐剑兵 |
| 地址： | 350000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种PSG钝化层压点腐蚀方法，包括如下步骤，将层压点待腐蚀的PSG钝化腐蚀片放入NH4F：CH3COOH＝10：7的混合溶液中进行腐蚀，腐蚀至压点区剩余2000～3000A的PSG厚度，再将PSG钝化腐蚀片放入NH4F：CH3COOH＝10：9的混合溶液中进行腐蚀，至压点区PSG层腐蚀干净，再将PSG钝化层腐蚀片放入GH3OH溶液中浸泡，最后清水洗涤，干燥。区别于现有技术，上述技术方案通过在不同浓度的腐蚀液中进行先后腐蚀，能够避免铝层被腐蚀导致的发黑、钝化问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 psg 钝化 层压 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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