[发明专利]一种气体传感器结构及其制造方法在审
申请号: | 201911038844.4 | 申请日: | 2019-10-29 |
公开(公告)号: | CN110794007A | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 康晓旭;沈若曦;钟晓兰 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | G01N27/18 | 分类号: | G01N27/18;G01N27/04 |
代理公司: | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 吴世华;尹一凡 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提出一种气体传感器结构及其制造方法,该结构包括硅片衬底上形成待测气体感测器件、标准气体感测器件、处理单元和输出单元;待测气体感测器件包括第一加热器、第一微通道和第一热敏电阻探测单元,标准气体感测器件包括第二加热器、第二微通道和第二热敏电阻探测单元;第一和第二微通道成对设置,第一和第二加热器分别设置在第一和第二微通道的入口内,第一和第二热敏电阻探测单元分别设置在第一和第二微通道的出口内,第一微通道用于通入待测气体,第二微通道用于通入标准气体。该方法包括在衬底上沉积牺牲层,制造加热器和探测单元,在牺牲层内刻蚀除形成沟槽,用隔热层材料填充并将整个结构覆盖,最后通过结构两侧将其释放形成器件结构。 | ||
搜索关键词: | 微通道 感测器件 探测单元 加热器 标准气体 待测气体 热敏电阻 牺牲层 衬底 气体传感器结构 第一加热器 隔热层材料 成对设置 处理单元 器件结构 输出单元 整个结构 硅片 沉积 刻蚀 填充 制造 释放 覆盖 出口 | ||
【主权项】:
1.一种气体传感器结构,其特征在于,包括硅片衬底上形成的待测气体感测器件、标准气体感测器件、处理单元和输出单元;所述待测气体感测器件包括第一加热器、第一微通道和第一热敏电阻探测单元,所述标准气体感测器件包括第二加热器、第二微通道和第二热敏电阻探测单元;所述第一微通道和第二微通道成对设置,所述第一加热器和第二加热器分别设置在所述第一微通道和第二微通道的入口内,所述第一热敏电阻探测单元和第二热敏电阻探测单元分别设置在所述第一微通道和第二微通道的出口内,所述第一微通道用于通入待测气体,所述第二微通道用于通入标准气体;/n在使用时,所述待测气体和标准气体同时进入所述第一微通道和第二微通道,所述待测气体和标准气体分别被所述第一加热器和第二加热器加热后,通过所述第一微通道和第二微通道传到所述热敏电阻探测单元处;所述第一热敏电阻探测单元和第二热敏电阻探测单元分别感测所述待测气体和标准气体的温度,通过所述处理单元对所述待测气体和标准气体的温度差异进行匹配性比对,对所述待测气体及其浓度进行识别和判断,并将识别结果由所述输出单元输出。/n
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