[发明专利]光刻机剂量均匀性的测量方法有效
申请号: | 201911039601.2 | 申请日: | 2019-10-29 |
公开(公告)号: | CN112731768B | 公开(公告)日: | 2021-10-15 |
发明(设计)人: | 刘泽华;陈震东 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种光刻机剂量均匀性的测试方法。该测试方法包括:上载待曝光掩模版,待曝光掩模版包括监控标记;采用待曝光掩模版进行焦面‑剂量矩阵曝光,获取不同焦距和曝光剂量下监控标记的套刻误差;确定焦距、曝光剂量与套刻误差之间的关系矩阵;根据关系矩阵确定曝光剂量作用区间;采用曝光剂量作用区间内的任意曝光剂量对待曝光掩模版进行焦距矩阵曝光;获取监控标记的实际套刻误差;根据关系矩阵以及实际套刻误差确定曝光场内各点的实际曝光剂量,以得到光刻机的剂量均匀性。本发明的技术方案可适应各种工况需求,也可排除焦面与像差的干扰,从而可准确测量光刻机的曝光剂量和剂量均匀性。 | ||
搜索关键词: | 光刻 剂量 均匀 测量方法 | ||
【主权项】:
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