[发明专利]一种光学临近效应的修正方法、修正装置及掩模有效
| 申请号： | 201911039992.8 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN110716386B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 马乐;韦亚一;张利斌;陈睿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光学临近效应的修正方法，包括：获得测试图形；基于测试图形的掩模进行曝光，获得曝光数据；基于测试图形的数据和曝光数据的对应关系建立OPC第一规则库；确定待修正版图的关键区域，并获得关键区域的图形特征参数；根据关键区域的图形特征参数对OPC第一规则库进行筛选，得到OPC第二规则库；基于OPC第二规则库修正待修正版图，得到修正后版图，基于修正后版图制作用于曝光的掩模。本发明还提供一种光学临近效应的修正装置。根据关键区域的图形特征参数对OPC第一规则库进行筛选，降低规则库中的规则数量，缩短修正的运行时间。本发明还提供一种利用上述修正方法形成的掩模，提高了曝光后图形的保真度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光学 临近 效应 修正 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种光学临近效应的修正方法，其特征在于,包括：/n获得测试图形；/n将基于所述测试图形的掩模进行曝光，以获得曝光数据；/n基于所述测试图形的数据和所述曝光数据的对应关系建立光学临近效应修正OPC第一规则库；/n确定待修正版图的关键区域，并获得所述关键区域的图形特征参数；/n根据所述关键区域的图形特征参数对所述OPC第一规则库进行筛选，得到OPC第二规则库；/n基于所述OPC第二规则库修正所述待修正版图，得到修正后版图，以基于所述修正后版图制作用于曝光的掩模。/n
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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