[发明专利]通过退火及相关方法减少半导体层和半导体器件的缺陷在审
| 申请号： | 201911040783.5 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111211053A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | A·萨利 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L29/78;H01L29/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明题为“通过退火及相关方法减少半导体层和半导体器件的缺陷”。本发明涉及系统和方法。所公开实施方案的系统和方法包括减少半导体层中的缺陷。可以通过在衬底上形成半导体层、从半导体层的下侧移除衬底的至少一部分以及对半导体层进行退火以减少该层中的缺陷来减少缺陷。退火包括在该层处聚焦能量。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 退火 相关 方法 减少 半导体 半导体器件 缺陷 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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