[发明专利]一种具有内嵌沟道二极管的SiC MOSFET结构有效
| 申请号： | 201911040815.1 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110729356B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 周新田;庞浩洋;贾云鹏;胡冬青;吴郁 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 吴荫芳 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有内嵌沟道二极管的SiC MOSFET结构，从下至上依次为漏极金属，衬底层，N‑漂移层，JFET区；P‑base区位于JFET区两侧，P‑base预设区域上表面为N+源区及P‑plus区；左侧N+源区、P‑base区以及部分JFET区上表面为MOSFET栅氧，右侧为厚度较薄的沟道二极管栅氧；MOSFET多晶硅栅位于MOSFET栅氧的上表面；沟道二极管多晶硅栅位于沟道二极管栅氧的上表面；隔离氧位于MOSFET多晶硅栅、沟道二极管多晶硅栅以及裸露的MOSFET栅氧和沟道二极管栅氧的上表面；源极金属位于N+源区、P‑plus区及隔离氧的上表面，且与沟道二极管多晶硅栅相连。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 沟道 二极管 sic mosfet 结构 | ||
【主权项】：
1.一种具有内嵌沟道二极管的SiC MOSFET结构，其特征在于，包括：/nN-漂移层3；/n衬底层2，位于所述N-漂移层3的下表面；/n漏极金属1，位于所述衬底层2的下表面；/nJFET区4，位于所述N-漂移层3的上表面；/nP-base区5，位于所述JFET区4的两侧；/nN+源区6，位于所述左右P-base区5的预设区域的上表面；/nP-plus区7，位于所述左右P-base区5的预设区域的上表面，且位于N+源区6外侧；/nMOSFET栅氧9，位于左侧N+源区6、左侧P-base区5以及部分JFET区4的上表面；/n沟道二极管栅氧12，位于右侧N+源区6、右侧P-base区5以及部分JFET区4的上表面，厚度要小于所述MOSFET栅氧，且与MOSFET栅氧9相邻；/nMOSFET多晶硅栅8，位于所述MOSFET栅氧9的上表面；/n沟道二极管多晶硅栅13，位于所述沟道二极管栅氧12的上表面，且与MOSFET多晶硅栅8构成分裂栅结构；/n隔离氧10，位于所述MOSFET多晶硅栅8、沟道二极管多晶硅栅13以及裸露的MOSFET栅氧9和沟道二极管栅氧12的上表面；/n源极金属11，位于所述N+源区6、P-plus区7及隔离氧10的上表面，且与所述沟道二极管多晶硅栅13通过接触孔相连。/n
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