[发明专利]智能卡芯片的加工方法及智能卡芯片在审

申请号：	201911042325.5	申请日：	2019-10-30
公开（公告）号：	CN110729179A	公开（公告）日：	2020-01-24
发明（设计）人：	熊伟;陈华伦	申请（专利权）人：	华虹半导体(无锡)有限公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/306;H01L23/31;H01L23/49
代理公司：	31211 上海浦一知识产权代理有限公司	代理人：	戴广志
地址：	214028 江***	国省代码：	江苏;32
权利要求书：	暂无信息	说明书：	暂无信息
摘要：	本申请公开了一种智能卡芯片的加工方法及智能卡芯片，属于芯片制造技术领域。所述方法包括：提供具有至少一个金属顶层的智能卡芯片；在至少一个金属顶层上沉积钝化层；对钝化层进行平坦化处理；对至少一个金属顶层中的目标金属顶层上方的钝化层通过刻蚀工艺进行去除，使目标金属顶层暴露在外；在钝化层和目标金属顶层上涂布聚亚酰胺层；对目标金属顶层上方的聚亚酰胺层进行去除形成引脚通孔，使目标金属顶层通过引脚通孔暴露在外。本申请通过在金属顶层沉积钝化层后，通过对钝化层进行平坦化处理，从而使智能卡芯片的表面变得平坦，在受到压力时能够较为均匀地受力，同时，通过在钝化层上设置聚亚酰胺层，能够进一步增加缓冲作用和机械性能，提高了智能卡芯片的抗压性能。
搜索关键词：	顶层智能卡芯片目标金属钝化层聚亚酰胺层金属沉积钝化层平坦化处理去除通孔引脚机械性能芯片制造技术缓冲作用抗压性能刻蚀工艺暴露申请受力平坦加工
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【主权项】：

1.一种智能卡芯片的加工方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供具有至少一个金属顶层的智能卡芯片；/n在所述至少一个金属顶层上沉积钝化层；/n对所述钝化层进行平坦化处理；/n对所述至少一个金属顶层中的目标金属顶层上方的钝化层通过刻蚀工艺进行去除，使所述目标金属顶层暴露在外；/n在所述钝化层和所述目标金属顶层上涂布聚亚酰胺层；/n对所述目标金属顶层上方的聚亚酰胺层进行去除形成引脚通孔，使所述目标金属顶层通过所述引脚通孔暴露在外。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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