[发明专利]超薄栅极CMOS器件的制造方法有效

申请号：	201911042424.3	申请日：	2019-10-30
公开（公告）号：	CN110739273B	公开（公告）日：	2022-06-07
发明（设计）人：	陈瑜;陈华伦;熊伟	申请（专利权）人：	华虹半导体（无锡）有限公司
主分类号：	H01L21/8238	分类号：	H01L21/8238;H01L27/092
代理公司：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211	代理人：	罗雅文
地址：	214028 江***	国省代码：	江苏;32
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摘要：	本申请公开了一种超薄栅极CMOS器件的制造方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括：在衬底上形成浅沟槽隔离；形成栅氧化层、多晶硅层；形成I/O器件LDD注入区图案和I/O器件栅极，I/O器件栅极上覆盖有光刻胶；进行I/O器件的LDD注入形成I/O器件LDD注入区；形成I/O器件的第一栅极侧墙；形成核心器件栅极；进行核心器件的LDD注入形成核心器件LDD注入区；形成核心器件的栅极侧墙和I/O器件的第二栅极侧墙；形成源漏极；解决了现有技术难以在超薄CMOS器件制造工艺中集成I/O器件的问题；达到了在超薄CMOS器件制造工艺中实现集成I/O器件，并保证I/O器件和核心器件的性能的效果。
搜索关键词：	超薄栅极 cmos 器件制造方法
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【主权项】：

1.一种超薄栅极CMOS器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供衬底，在所述衬底上形成浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离用于定义有源区，所述衬底上的一部分有源区用于形成核心器件，所述衬底上的另一部分有源区用于形成I/O器件；/n形成栅氧化层，所述栅氧化层覆盖I/O器件区域和核心器件区域；/n形成多晶硅层，所述多晶硅层覆盖I/O器件区域和核心器件区域；/n通过光刻、刻蚀工艺在所述多晶硅层形成I/O器件LDD注入区图案和I/O器件栅极，所述I/O器件栅极上覆盖有光刻胶；/n进行I/O器件的LDD注入，在所述衬底上的I/O器件区域形成I/O器件LDD注入区；/n去除光刻胶露出所述I/O器件栅极，并形成所述I/O器件的第一栅极侧墙；/n通过光刻、刻蚀工艺形成核心器件栅极；/n进行核心器件的LDD注入，在所述衬底上的核心器件区域形成核心器件LDD注入区；所述核心器件LDD注入区的深度小于所述I/O器件LDD注入区的深度；/n形成核心器件的栅极侧墙和I/O器件的第二栅极侧墙；/n进行源漏注入，形成核心器件的源漏极和I/O器件的源漏极。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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