[发明专利]一种砷化镓基LED芯片的制作方法有效
| 申请号： | 201911042680.2 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112750921B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 彭璐;张兆喜 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人： | 黄晓燕 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种砷化镓基LED芯片的制作方法，包括在外延片表面P型层制作欧姆接触层；对完成欧姆材料制备的外延片进行热退火处理；在所述欧姆接触层表面制作P电极；将所述外延片固定到热解膜上，将外延片的衬底研磨至需要厚度，对研磨面进行去离子水冲洗；对研磨后的外延片进行N面蒸镀，蒸镀温度为180‑300℃；对蒸镀完成的晶片进行N面合金，合金温度为360‑380℃，合金过程中，所述热解膜脱落；对热解膜脱落的晶片进行半切测试，得到芯粒参数；对半切测试后的晶片进行全切操作，形成独立的芯粒。本发明进行研磨步骤前对晶片增加热解膜，热解膜作为薄晶片的支撑，降低研磨工步、研磨后蒸镀、研磨后切割等工步间的裂片率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓基 led 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
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