[发明专利]一种三值局部有源忆阻器仿真器在审
| 申请号： | 201911042693.X | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110598371A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 韩春艳;董玉姣 | 申请（专利权）人： | 滨州学院 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 256600 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三值局部有源忆阻器仿真器。本发明根据数学模型设计局部有源忆阻器仿真器，仿真器电路包括集成运算放大器U1和乘法器U2、U3、U4、U5、U6，集成运算放大器U1连接输入端，即三值局部有源忆阻器的电压u和电流i的测试端；集成运算放大器U1和乘法器U2、U3、U5、U6用于实现积分运算、求和运算和反相运算，求得控制忆导值的状态变量，得到我们需要的忆导控制函数。通过乘法器U4，得到我们最终的忆阻器电流量。本发明提出了一种实现三值局部有源忆阻器特性的仿真器，用于模拟三值局部有源忆阻器的伏安特性，便于对三值局部有源忆阻器进行实验和应用研究。 | ||
| 搜索关键词： | 忆阻器 集成运算放大器 乘法器 仿真器 数学模型设计 仿真器电路 实验和应用 伏安特性 积分运算 控制函数 求和运算 状态变量 测试端 电流量 输入端 反相 运算 研究 | ||
【主权项】：
1.一种三值局部有源忆阻器仿真器，其特征在于：基于以下数学模型/n
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