[发明专利]一种肖特基二极管的仿真模型的计算方法及系统有效

专利信息
申请号: 201911042834.8 申请日: 2019-10-30
公开(公告)号: CN110795902B 公开(公告)日: 2023-05-12
发明(设计)人: 祁路伟;张德海;孟进 申请(专利权)人: 中国科学院国家空间科学中心
主分类号: G06F30/367 分类号: G06F30/367
代理公司: 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 代理人: 陈琳琳;杨青
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种肖特基二极管的仿真模型的生成方法及系统,所述方法包括:将肖特基二极管的轻掺杂的外延层上方设置SiO2介质层,介质层上方定义为肖特基接触;根据MIS结构的能带图计算介质层的厚度和介质层与外延层界面处的陷阱电荷密度;利用Sentaurus TCAD工具绘制出肖特基二极管的结构图形;为每一个区域指定材料以及掺杂浓度;添加接触作为器件的电极,添加肖特基接触作为器件的阳极,欧姆接触为器件的阴极;将肖特基二极管的结构图形进行剖分和网格化。利用该生成方法得到的模型的仿真结果与实际结果吻合,为后续建立准确的高频模型打下坚实基础。
搜索关键词: 一种 肖特基 二极管 仿真 模型 计算方法 系统
【主权项】:
1.一种肖特基二极管的仿真模型的生成方法,所述方法包括:/n将肖特基二极管的轻掺杂的外延层上方设置SiO
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