[发明专利]一种多晶硅表金属去除装置在审
申请号: | 201911042951.4 | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN110641755A | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 余成有 | 申请(专利权)人: | 厦门佰顺兴自动化科技有限公司 |
主分类号: | B65B35/24 | 分类号: | B65B35/24;B65B55/00;B03C1/18;B08B15/02 |
代理公司: | 35218 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 | 代理人: | 何家富 |
地址: | 361000 福建省厦门市同*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明涉及一种多晶硅表金属去除装置,可包括倾斜式上料输送带机构和水平输送带机构,所述倾斜式上料输送带机构的上端滚筒安装有永磁体并且在其下方设有第一抽吸罩,所述永磁体用于将多晶硅表金属吸附在所述倾斜式上料输送带机构的输送带上,所述第一抽吸罩用于收集并带走从输送带掉落的多晶硅表金属,所述水平输送带机构横向于所述倾斜式上料输送带机构布置,其输送带位于所述倾斜式上料输送带机构的上端的正下方并且设有第二抽吸罩,所述第二抽吸罩用于吸走多晶硅从所述倾斜式上料输送带机构落到所述水平输送带机构的输送带上产生的多晶硅粉尘。 | ||
搜索关键词: | 上料输送带 倾斜式 多晶硅 输送带 抽吸罩 水平输送带机构 永磁体 上端 金属去除装置 滚筒安装 机构布置 金属吸附 掉落 粉尘 金属 | ||
【主权项】:
1.一种多晶硅表金属去除装置,其特征在于,包括倾斜式上料输送带机构和水平输送带机构,所述倾斜式上料输送带机构的上端滚筒安装有永磁体并且在其下方设有第一抽吸罩,所述永磁体用于将多晶硅表金属吸附在所述倾斜式上料输送带机构的输送带上,所述第一抽吸罩用于收集并带走从输送带掉落的多晶硅表金属,所述水平输送带机构横向于所述倾斜式上料输送带机构布置,其输送带位于所述倾斜式上料输送带机构的上端的正下方并且设有第二抽吸罩,所述第二抽吸罩用于吸走多晶硅从所述倾斜式上料输送带机构落到所述水平输送带机构的输送带上产生的多晶硅粉尘。/n
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