[发明专利]一种读写可控的硅基集成光缓存器有效
| 申请号： | 201911043032.9 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110737047B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 王慧莹;王智;李航天;崔粲;傅子玲 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02F1/09 |
| 代理公司： | 北京安度修典专利代理事务所(特殊普通合伙) 11424 | 代理人： | 杨方成 |
| 地址： | 100044 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种读写可控的硅基集成光缓存器，包括左右依次设置的非互易硅基矩形波导和石墨烯层，所述石墨烯层集成在所述非互易硅基矩形波导的右侧输出端面形成读/写控制端面；所述读/写控制端面通过施加电压的方式调控石墨烯透射系数，决定进入所述非互易硅基矩形波导的单向传输信号光能否透过所述石墨烯层，实现对光缓存器读/写的控制。本发明的读写可控的硅基集成光缓存器能够实现方便可调、低损耗的信号光写入与读出光缓存器操作的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 读写 可控 集成 缓存 | ||
【主权项】：
1.一种读写可控的硅基集成光缓存器，其特征在于，包括左右依次设置的非互易硅基矩形波导和石墨烯层，所述石墨烯层集成在所述非互易硅基矩形波导的右侧输出端面形成读/写控制端面；/n所述读/写控制端面通过施加电压的方式调控石墨烯透射系数，决定进入所述非互易硅基矩形波导的单向传输信号光能否透过所述石墨烯层，实现对光缓存器读/写的控制。/n
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