[发明专利]分步生长弱磁性Fe-V共掺杂SiC晶体的方法有效
| 申请号： | 201911043221.6 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110699752B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 卓世异;刘学超;严成锋;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 安徽微芯长江半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00;C30B31/06 |
| 代理公司： | 铜陵市天成专利事务所(普通合伙) 34105 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 244000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及分步生长弱磁性Fe‑V共掺杂SiC晶体的方法，所述方法包括：（1）将高纯SiC晶体块、Fe粉和V粉混合后置于坩埚底部作为晶料，并在所述晶料表面平铺一层碳化硅粉体，再以6H‑SiC晶片作为籽晶，采用物理气相运输法开始晶体生长，得到过量Fe‑V共掺杂SiC晶体，所述Fe粉和V粉的加入量＞Fe和V在SiC晶体中室温下的固溶度；（2）将所得过量Fe‑V共掺杂SiC晶体切块处理后置于坩埚底部，以6H‑SiC晶片作为籽晶，采用物理气相运输法开始二次生长，得到所述弱磁性Fe‑V共掺杂碳化硅晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 分步 生长 磁性 fe 掺杂 sic 晶体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种分步生长弱磁性Fe-V共掺杂碳化硅晶体的方法，其特征在于，包括：/n（1）将高纯SiC晶体块、Fe粉和V粉混合后置于坩埚底部作为晶料，并在所述晶料表面平铺一层碳化硅粉体，再以6H-SiC晶片作为籽晶，采用物理气相运输法开始晶体生长，得到过量Fe-V共掺杂SiC晶体，所述Fe粉和V粉的加入量＞Fe和V在SiC晶体中室温下的固溶度；/n（2）将所得过量Fe-V共掺杂SiC晶体切块处理后置于坩埚底部，以6H-SiC晶片作为籽晶，采用物理气相运输法开始二次生长，得到所述弱磁性Fe-V共掺杂碳化硅晶体。/n
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