[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201911043770.3 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111129009A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 陈建宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/085 | 分类号： | H01L27/085;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;王琳 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开具有双阈值电压晶体管的设备和电路以及其制造方法。在一实例中，公开一种半导体结构。半导体结构包含衬底、第一层、第一晶体管及第二晶体管。第一层形成于衬底上方且包括第一III‑V半导体材料。第一晶体管形成于第一层上方。第二晶体管形成于第一层上方。第一晶体管包括：包含第一材料的第一栅极结构、第一源极区以及第一漏极区。第二晶体管包括：包含第二材料的第二栅极结构、第二源极区以及第二漏极区。第一材料不同于第二材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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