[发明专利]一种基于超表面阵列结构的集成电路光刻掩模制备方法在审
| 申请号： | 201911043871.0 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110750030A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 郑国兴;陈奎先;李子乐;单欣;李仲阳 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G02B1/00;G03F1/70 |
| 代理公司： | 42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 刘琰 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于超表面阵列结构的集成电路光刻掩模制备方法，该超表面阵列结构包括基底、金属纳米砖阵列和PMMA涂层，金属纳米砖阵列设置在基底上，PMMA涂层覆盖在金属纳米砖阵列上；整个超表面结构为其工作波长起到起偏器的功能，入射线偏光偏振方向沿着金属纳米砖短轴方向时，透过率高，入射线偏光偏振方向沿着金属纳米砖长轴方向时，透过率低。在固定入射线偏光偏振方向时，改变金属纳米砖的转角，实现光刻信息的编写，且根据马吕斯定律，实现了二值光刻掩模信息的复用。本发明解决了现有光刻技术中加工难度大，加工成本高等难题。 | ||
| 搜索关键词： | 金属纳米 入射线偏光 偏振 表面阵列 光刻掩模 透过率 基底 表面结构 短轴方向 工作波长 光刻技术 涂层覆盖 阵列设置 转角 起偏器 长轴 复用 光刻 制备 集成电路 加工 | ||
【主权项】：
1.一种超表面阵列结构，其特征在于，该结构包括基底、金属纳米砖阵列和PMMA涂层，金属纳米砖阵列设置在基底上，PMMA涂层覆盖在金属纳米砖阵列上，金属纳米砖阵列包括多个金属纳米砖单元；该超表面阵列结构的金属纳米砖单元的结构参数针对设计波长优化得到，具有起偏器功能；基底和金属纳米砖阵列均为亚波长尺寸，金属纳米砖单元为长方体形，相邻金属纳米砖单元的中心间距相等。/n
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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