[发明专利]一种晶圆检测设备及晶圆检测方法有效
申请号: | 201911044277.3 | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN110690137B | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | 詹冬武;潘玉妹 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人: | 陈敏 |
地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供晶圆检测方法及晶圆检测设备。检测设备包括第一扫描探头、第二扫描探头、图像生成单元以及图像处理单元,通过第一扫描探头对晶圆进行超声预扫描,探测晶圆的芯粒信息;第二超声扫描探头以芯粒信息为定位坐标对晶圆进行超声扫描,探测包括晶粒信息的晶圆的缺陷信息;图像处理单元与第一超声扫描探头连接,用于接收芯粒信息并通过芯粒信息对超声扫描进行定位。图像生产单元与第二超声扫描探头连接,接收缺陷信息并根据缺陷信息生成缺陷图。该缺陷图包括芯粒信息,使得后续的缺陷分析结果中包含晶圆的芯粒信息,检测结果达到芯粒级别,实现精细化量产检测。 | ||
搜索关键词: | 一种 检测 设备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆检测设备,其特征在于,包括:第一超声扫描探头、第二超声扫描探头、图像生成单元以及图像处理单元,/n所述第一超声扫描探头用于以所述晶圆的缺口为定位坐标对所述晶圆进行超声预扫描,以探测所述晶圆的芯粒信息;/n所述第二超声扫描探头用于以所述芯粒信息为定位坐标对所述晶圆进行超声扫描,以探测所述晶圆的缺陷信息,所述缺陷信息包括所述晶粒信息;/n所述图像处理单元与所述第一超声扫描探头连接,用于接收所述芯粒信息并通过所述芯粒信息对所述超声扫描进行定位;/n所述图像生产单元与所述第二超声扫描探头连接,用于接收所述缺陷信息并根据所述缺陷信息生成所述晶圆的缺陷图。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造