[发明专利]一种MWT太阳电池背电场结构及其制造方法有效
申请号: | 201911044386.5 | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN111211179B | 公开(公告)日: | 2023-05-19 |
发明(设计)人: | 黎剑骑;孙涌涛;许成德;王富强;楼诚侃 | 申请(专利权)人: | 横店集团东磁股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋 |
地址: | 322118 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种MWT太阳电池背电场结构,包括从上到下依次叠加的正面氮化硅膜、二氧化硅膜、PN结、硅片、三氧化二铝膜和背面氮化硅膜,硅片正面设有正电极银栅线和贯穿孔电极正面,背面设有全铝背场、贯穿孔电极背面和均匀分布的背电极,全铝背场上设有铝栅线背场,铝栅线背场与背面贯穿孔电极之间设有贯穿孔隔离槽。一种MWT太阳电池背电场制造方法,包括以下步骤:激光打孔;制绒;扩散;掩膜印刷;刻蚀;退火;镀膜;背面激光开槽;丝网印刷;烧结。在MWT电池背面开创了全铝背场与铝栅线相结合设计的方式,在不影响转换效率的同时,降低了Al金属浆料的消耗,极大避免Al金属粉末残留影响贯穿孔电极,保证了MWT太阳电池的安全高效地持续运行。 | ||
搜索关键词: | 一种 mwt 太阳电池 电场 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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