[发明专利]一种MWT太阳电池背电场结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201911044386.5 申请日: 2019-10-30
公开(公告)号: CN111211179B 公开(公告)日: 2023-05-19
发明(设计)人: 黎剑骑;孙涌涛;许成德;王富强;楼诚侃 申请(专利权)人: 横店集团东磁股份有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 巩克栋
地址: 322118 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种MWT太阳电池背电场结构,包括从上到下依次叠加的正面氮化硅膜、二氧化硅膜、PN结、硅片、三氧化二铝膜和背面氮化硅膜,硅片正面设有正电极银栅线和贯穿孔电极正面,背面设有全铝背场、贯穿孔电极背面和均匀分布的背电极,全铝背场上设有铝栅线背场,铝栅线背场与背面贯穿孔电极之间设有贯穿孔隔离槽。一种MWT太阳电池背电场制造方法,包括以下步骤:激光打孔;制绒;扩散;掩膜印刷;刻蚀;退火;镀膜;背面激光开槽;丝网印刷;烧结。在MWT电池背面开创了全铝背场与铝栅线相结合设计的方式,在不影响转换效率的同时,降低了Al金属浆料的消耗,极大避免Al金属粉末残留影响贯穿孔电极,保证了MWT太阳电池的安全高效地持续运行。
搜索关键词: 一种 mwt 太阳电池 电场 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
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